CNT-TFET을 이용한 저전력 인버터 설계

  • 진익경 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 정우진 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과)
  • Published : 2015.03.19

Abstract

최근 에너지 효율과 소형화측면에서 한계를 보이는 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(MOSFET)을 대체할 수 있는 소자로 Tunneling FET(TFET)이 주목받고 있다. 본 논문에서는 탄소나노튜브(Carbon Nanotube, CNT) TFET을 시뮬레이션하여 전자회로의 기본 단위인 인버터(Inverter)를 설계한다. 설계한 인버터의 성능을 CNT-MOSFET 인버터와 비교하여 저전력 디지털 회로로써의 가능성을 확인한다.

Keywords