EDISON SW 활용 경진대회 논문집 (Proceeding of EDISON Challenge)

한국과학기술정보연구원 (Korea Institute of Science and Technology Information)
권호 표지

Electronic properties of uniaxially-strained MoS2 monolayer

  • 박주하 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 임예찬 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 채병태 (서울대학교 재료공학부)
  • 발행 : 2015.03.19
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초록

$MoS_2$ 단일층에 단축 방향으로 스트레인을 가해 Mo와 S 사이의 거리를 변화시키면서 밴드 구조의 변화를 밀도 범함수 이론에 기반해 계산했다. $MoS_2$ 단일층의 전자 구조는 스트레인에 민감하게 변화하여 밴드갭의 감소와 직접 밴드갭에서 간접 밴드갭으로 밴드갭의 특성이 변화함을 확인했다. 이러한 전자 구조의 변화는 스트레인에 의한 전하 분포의 변화와 로컬 오비탈의 상호작용에 의한 영향으로 해석된다.

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