Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2015.08a
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- Pages.194.2-194.2
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- 2015
InP 기판에 형성한 InAs/InAlGaAs 양자점의 광학적 특성
- Lee, Ha-Min ;
- Jo, Byeong-Gu ;
- Choe, Il-Gyu ;
- Park, Dong-U ;
- Lee, Gwan-Jae ;
- Lee, Cheol-Ro ;
- Kim, Jin-Su ;
- Han, Won-Seok ;
- Im, Jae-Yeong
- 이하민 (전북대학교) ;
- 조병구 (전남대학교) ;
- 최일규 (전북대학교) ;
- 박동우 (전북대학교) ;
- 이관재 (전북대학교) ;
- 이철로 (전북대학교) ;
- 김진수 (전북대학교) ;
- 한원석 (한국표준과학기술원) ;
- 임재영 (인제대학교)
- Published : 2015.08.24
Abstract
본 논문에서는 InP 기판에 자발형성법 (Self-assembled Mode)으로 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점(Quantum Dots)의 외부 열처리 온도에 따른 광학적 특성을 논의한다. 분자선증착기 (Molecular Beam Epitaxy, VH80MBE)로 5주기 적층구조를 갖는 InAs/InAlGaAs 양자점 시료 (기준시료)를 성장 후 온도 의존성 및 여기광세기 의존성 포토루미네슨스 (photoluminescence, PL) 분광법으로 기본특성을 평가하였다. 양자점 시료를