한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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- Pages.122.2-122.2
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- 2015
n-type 결정질 태양전지의 Si 표면과 Ag/Al 사이의 Contact formation 형태론
- 오동현 (성균관대학교 에너지시스템공학과) ;
- 전민한 (성균관대학교 정보통신대학) ;
- 강지윤 (성균관대학교 정보통신대학) ;
- 정성윤 (성균관대학교 정보통신대학) ;
- 박철민 (성균관대학교 에너지과학과) ;
- 이준신 (성균관대학교 정보통신대학) ;
- 김현후 (두원공과대학교)
- O, Dong-Hyeon ;
- Jeon, Min-Han ;
- Gang, Ji-Yun ;
- Jeong, Seong-Yun ;
- Park, Cheol-Min ;
- Lee, Jun-Sin ;
- Kim, Hyeon-Hu
- 발행 : 2015.08.24
초록
n-type 실리콘은 p-type과 비교하여 더 높은 소수캐리어 lifetime 으로 금속 불순물에 대하여 더 좋은 내성을 갖는다. 고효율 실리콘 태양전지를 위하여 p-type 웨이퍼를 n-type으로 교체하여 빛을 조사했을 때, 광전자들이 형성되어 p-type과 비교하여 더 좋은 lifetime 안정성을 갖는다. n-type 태양전지의 전면 전극은 AgAl paste로 형성하였다. AgAl 페이스트는 소성 온도와 밀접하게 관련되어 전극의 접합 깊이에 영향을 미친다. p+ emitter 층에 파고드는 금속 접촉의 최적화된 깊이는 접촉 저항에 영향을 미치는 중요한 요소이다. 본 연구에서는 소성 조건을 변화시킴으로써, 금속 깊이의 효과적인 형성을 위한 소성 조건을 최적화하였다.