Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

TFTs characteristics of amorphous IGZO thin film fabricated with different RF Power

다양한 RF Power로 제작한 비정질 IGZO TFTs의 특성 연구

  • 정연후 (경북대학교 전자재료공학과) ;
  • 조광민 (경북대학교 전자재료공학과) ;
  • 김세윤 (경북대학교 전자재료공학과) ;
  • 김정주 (경북대학교 전자재료공학과) ;
  • 이준형 (경북대학교 전자재료공학과) ;
  • 허영우 (경북대학교 전자재료공학과)
  • Published : 2014.11.20
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Abstract

RF magnetron sputtering법으로 증착한 비정질 IGZO 박막과 이를 Active layer로 이용한 TFT의 Transfer 특성에 대한 RF Power의 영향에 대해 연구하였다. Carrier concentration은 Sputtering 공정 중에 산소 분압으로 조절하였다. RF Power가 75에서 150W로 증가할수록 IGZO 박막의 Roughness는 12.2에서 $6.5{\AA}$ 감소하였고 Density는 6.0에서 $6.1g/cm^3$로 증가하였다. 또한, 모든 IGZO 박막은 가시광 영역에서 85% 이상의 투과율을 보였고 Optical band gap은 미세하게 감소하였다. RF Power가 증가할수록 a-IGZO TFT의 Threshold voltage는 0.9에서 7V로 증가하였고, Subthreshold slope은 0.3에서 0.8 V/decade로 증가하였다. 하지만 Mobility는 11에서 $19cm^2/V{\cdot}s$로 증가하였다.

Keywords