한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)

한국표면공학회 (The Korean Institute of Surface Engineering)
권호 표지

Sn 도핑 농도에 따른 GZO:Sn TFT의 전기적 특성

Effects of Sn doping on GZO:Sn thin film transistor

  • 양지웅 (중앙대학교 전기전자공학과) ;
  • 신재헌 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
  • 김경현 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
  • 박래만 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
  • 송창우 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
  • 홍찬화 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
  • 서우형 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
  • 권혁인 (중앙대학교 전기전자공학과) ;
  • 정우석 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실)
  • 발행 : 2014.11.20
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초록

본 연구에서는 GZO:Sn에서 Sn의 함유량에 따른 트랜지스터 특성 변화를 알아보았다. 그 결과 GZO:Sn=200W:9W 의 소자에서 가장 좋은 트랜지스터 특성을 얻을 수 있었다.

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