Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2014.11a
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- Pages.246-247
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- 2014
The effects of the plasma treatment on the electrical properties and stability of IZO-based TFTs
플라즈마 처리가 IZO기반 TFT의 전기적 특성과 신뢰성에 끼치는 영향
- Song, Chang-U ;
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Hong, Chan-Hwa
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- Sin, Jae-Heon ;
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Kim, Gyeong-Hyeon
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Park, Rae-Man
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- Yang, Ji-Ung ;
- Seo, U-Hyeong ;
- Gwon, Hyeok-In ;
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Jeong, U-Seok
- 송창우 (중앙대학교 전자전기공학과) ;
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홍찬화
(한국전자통신연구원 나노인터페이스연구실)
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- 신재헌 (한국전자통신연구원 나노인터페이스연구실) ;
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김경현
(한국전자통신연구원 나노인터페이스연구실)
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박래만
(한국전자통신연구원 나노인터페이스연구실)
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- 양지웅 (중앙대학교 전자전기공학과) ;
- 서우형 (중앙대학교 전자전기공학과) ;
- 권혁인 (한국전자통신연구원 나노인터페이스연구실) ;
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정우석
(한국전자통신연구원 나노인터페이스연구실)
- Published : 2014.11.20
Abstract
고사양을 요구하는 차세대 디스플레이용 소자 중 하나로 산화물 TFT(thin-film transistor)가 주목받고 있으며, 기존의 a-Si TFT보다 월등한 성능을 보인다. 소자의 특성을 개선시키기 위해 back channel 표면에 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마처리시 산소의 비중이 늘어날수록 산화물 TFT의 특성을 개선하는데 도움을 주는 것을 확인하였다.
Keywords