한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)

한국표면공학회 (The Korean Institute of Surface Engineering)
권호 표지

CH4/N2O 및 CH3OH gas를 이용한 Magnetic Tunnel Junction 물질의 식각특성에 관한 연구

Etch characteristics of MTJ materials using in CH4/N2O or CH3OH gas

  • 양경채 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 전민환 (성균나노과학기술원) ;
  • 염근영 (성균관대학교 신소재공학과)
  • 발행 : 2014.11.20
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초록

STT-MRAM의 구성물질인 magnetic tunnel junction의 효과적인 식각을 위하여 다양한 가스 조합을 연구하였다. 그 결과 $CH_4/N_2O$ gas 조합보다는 $CH_3OH$ gas 가 보다 향상된 식각 특성을 나타내었고 pulse duty ratio 변화와 기판온도 변화가 식각특성 향상에 영향을 주었음을 알 수 있었다.

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