Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)

Korea Institute of Science and Technology Information (한국과학기술정보연구원)
권호 표지

Silicon-Silicon dioxide 계면에서의 defect 거동 연구

  • 이동석 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 윤용 (서울대학교 재료공학부)
  • Published : 2014.03.21
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본 연구에서는 제일원리 계산을 이용하여 $Si(100)/SiO_2$ 계면 내부에서 발생하는 point defect들의 거동에 대해 살펴보았다. Defect 계산에 앞서 안정한 $Si/SiO_2$ 계면을 찾아보았고 찾은 계면을 바탕으로 계면에서 point defect의 formation energy를 계산해 보았고 이를 통해 Si defect의 경우 Si층 쪽 보다는 $SiO_2$ 층에서, 그리고 계면 내부 보다는 계면 경계 근처에서 발생할 가능성이 높음을 보였다.

Keywords