EDISON SW 활용 경진대회 논문집 (Proceeding of EDISON Challenge)
- 제3회(2014년)
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- Pages.434-438
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- 2014
Size Scaling에 따른 Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFET의 특성 연구
초록
CMOS의 최종형태로써 Gate-All-Around(GAA) Silicon Nanowire(NW)가 각광받고 있다. 이 논문에서 NW FET(Field Effect Transistor)의 채널 길이와 NW의 폭과 같은 size에 따른 특성변화를 실제 실험 data와 NW FET 특성분석 simulation을 이용해서 비교해보았다. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 소형화에 따른 쇼트 채널 효과(short channel effect)에 의한 threshold voltage(
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