Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2014.02a
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- Pages.489.1-489.1
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- 2014
PECVD 무선주파수 변화에 따른 전면 패시베이션 특성비교
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Lee, Gyeong-Dong
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Bae, Su-Hyeon
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Kim, Seong-Tak
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Park, Seong-Eun
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Lee, Hae-Seok
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Kim, Dong-Hwan
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이경동
(고려대학교, 신소재공학과) ;
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배수현
(고려대학교, 신소재공학과) ;
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김성탁
(고려대학교, 신소재공학과) ;
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박성은
(고려대학교, 신소재공학과) ;
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이해석
(고려대학교, 신소재공학과) ;
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김동환
(고려대학교, 신소재공학과)
- Published : 2014.02.10
Abstract
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 장치를 통하여 증착된 수소화된 질화막(SiNx:H)은 결정질 태양전지의 반사방지막과 패시베이션 층으로 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 PECVD 장치내에 플라즈마를 형성하는 무선주파수(Radio Frequency)를 다양하게 변화시켜 수소화된 실리콘 질화막의 경향성을 알아보고 각 무선주파수에서 최적화된 패시베이션층을 태양전지에 적용하여 그 특성들을 분석하였다. 다양한 무선주파수 범위는 고주파(High Frequency: 13.56 MHz), 저주파 (Low Frequency: 440 kHZ) 그리고 혼합주파(Dual Frequency: 13.56 MHz + 440 kHz)를 각각 이용하여 수소화된 질화막을 증착 하였으며