한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
- /
- Pages.300.2-300.2
- /
- 2014
Terahertz Characteristics of InGaAs/InAlAs MQW with Different Excitation Laser Source
- 박동우 (한국표준과학연구원, 나노소재평가센터) ;
- 노삼규 (한국표준과학연구원, 나노소재평가센터) ;
- 지영빈 (연세대학교, 연의생공연 메디컬 융합연구소) ;
- 오승재 (연세대학교, 연의생공연 메디컬 융합연구소) ;
- 서진석 (연세대학교, 연의생공연 메디컬 융합연구소) ;
- 전태인 (한국해양대학교, 전자공학과) ;
- 김진수 (전북대학교, 신소재공학부) ;
- 김종수 (영남대학교, 물리학과)
- Park, Dong-U ;
- No, Sam-Gyu ;
- Ji, Yeong-Bin ;
- O, Seung-Jae ;
- Seo, Jin-Seok ;
- Jeon, Tae-In ;
- Kim, Jin-Su ;
- Kim, Jong-Su
- 발행 : 2014.02.10
초록
테라헤르쯔(terahertz : THz)파는 0.1~10 THz 의 범위로 적외선과 방송파 사이에 광대역 주파수 스펙트럼을 차지하고 있으며 직진성, 투과성, 그리고 낮은 에너지(meV)를 가지고 있어 비 파괴적이고 무해한 장점을 지니고 있다. Ti:sapphire laser와 같은 femto-pulse source 등이 많은 발전이 되어 현재 많은 연구와 발전이 이루어지고 있다. femto-pulse source를 이용한 THz 응용에서는 높은 저항, 큰 전자이동도, 그리고 아주 짧은 전하수명의 기판을 요구하는데 저온에서 성장한(low-temperature grown : LT) InGaAs는 격자 내에 Gallium 자리에 Arsenic이 치환 하면서 AsGa antisite가 발생하여 전하수명을 짧아지는 것을 응용하여 가장 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 보다 높은 저항을 얻기 위하여 molecular beam epitaxy를 이용하여 semi-insulating InP:Fe 기판위에 격자 정합된 LT-InGaAs:Be/InAlAs multi quantum well (MQW)를 well과 barrier를 가각