Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

DC 열 플라즈마를 이용한 Graphene Oxide 표면의 기능화

  • 김병훈 ((재)철원플라즈마산업기술연구원) ;
  • 손병구 ((재)철원플라즈마산업기술연구원) ;
  • 이문원 ((재)철원플라즈마산업기술연구원) ;
  • 한상근 ((재)철원플라즈마산업기술연구원) ;
  • 김성인 ((재)철원플라즈마산업기술연구원) ;
  • 조광섭 (광운대학교대학원 전자바이오물리학과)
  • Published : 2014.02.10
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Abstract

대면적 그래핀의 높은 제조비용과 낮은 생산성으로 인해 최근 산화그래핀(GO)을 박리하여 대면적화 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만, Hummers 법에 의해 제조된 산화그래핀은 제조공정상 발생되는 황이나 수소 및 산소 등의 불순물에 의한 특성저하와 15층에서 25층 정도의 다층 구조에 의한 높은 접촉저항 때문에 그래핀 고유의 특성 발휘가 어렵다. 본 연구에서는 DC 열 플라즈마의 NH3 방전을 이용하여 산화그래핀의 불순물인 S, H, O를 완전히 제거하였고, DC 열 플라즈마 처리된 후의 산화그래핀의 Volume을 평균 2.5배정도 증가시켰다. 또한 N2와 He을 혼합 시킨 DC 열 플라즈마 방전으로 산화그래핀 표면에 N 을 도핑 하여 전기적 특성을 향상시켰다. N 도핑 농도는 최대 20wt%이었으며 N2과 He공급량, Current 조절에 의해 Dopping 농도를 제어하였다.

Keywords