Oxygen Ion Beam Post-treatment of SiO2 Thin Film

산소 이온빔을 이용한 SiO2 박막 후처리 연구

  • 이승훈 (재료연구소 플라즈마코팅연구실) ;
  • 강용진 (재료연구소 플라즈마코팅연구실) ;
  • 김종국 (재료연구소 플라즈마코팅연구실) ;
  • 김도근 (재료연구소 플라즈마코팅연구실)
  • Published : 2013.05.30

Abstract

$SiO_2$ 박막은 다양한 특성에 의해 널리 사용되고 있으며, 최근 보호막 소재로 각광받고 있다. 본 연구에서는 산소선형 이온빔을 통해 $SiC_xH_yO_z$ 박막을 후처리 하였으며, 후처리 공정을 통해 $SiC_xH_yO_z$ 박막을 산화시켰다. 이를 통해 $SiC_xH_yO_z$ 최상층에 $SiO_2$ 박막을 형성하는 공정을 개발하였다.

Keywords