Study on CIGS Thin Films Fabricated by RF Sputtering from a Single Target

단일 타겟을 이용하여 스퍼터링으로 증착한 CIGS 박막의 연구

  • Published : 2013.05.30

Abstract

본 연구에서는 단일 타겟을 이용하여 CIGS 박막 제조 공정과정 중 셀렌화 공정을 제외하였다. 박막은 다양한 기판온도에서 증착하였으며 구조 및 전기적 특성과 화학적 조성비를 조사하였다. XRD 측정 결과 모든 박막에서 (112)면의 우선방향 성장이 관찰되었으며, $300^{\circ}C$이상의 기판온도에서 (220)/(204), (312)/(116)면의 피크가 나타나 다결정 특성을 보였다.

Keywords