Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2013.05a
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- Pages.169-169
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- 2013
질소 플라즈마를 이용한 CVD-그래핀의 n형 도핑 연구
- Lee, Ji-A (SKKU Advanced Institute of Nano-Technology(SAINT)) ;
- Im, Yeong-Dae ;
- Kim, Min-U (SKKU Advanced Institute of Nano-Technology(SAINT)) ;
- Yu, Won-Jong (SKKU Advanced Institute of Nano-Technology(SAINT))
- Published : 2013.05.30
Abstract
그래핀은 2차원 물질으로서 전기적, 열적으로 독특한 성질로 인해 주목받고 있으며, 전 세계적으로 많은 연구가 진행 되었다. 그러나 그래핀은 밴드갭이 없을 뿐 아니라 2차원물질로서 표면에 화학적 도핑하는 기술이 정립되지 않아 인해 전기적 소자에 적용하기 어려운 문제가 있었다. 본 연구에서는 질소 유도 결합 플라즈마를 이용하여 대면적의 그래핀을 n형 도핑시키는 연구를 진행하였다. 또한 CVD-그래핀에서의 도핑 메커니즘을 규명하기 위해, AFM, Raman, XPS 에 의한 화학적 분석을 시도하였다. 뿐만 아니라 메탄(
Keywords