Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Fabrication of Cu(Inx,Ga1-x)Se2 absorber layers using non-toxic rapid thermal selenziation

비 독성 셀레늄 팰릿을 이용하여 급속 열처리한 CIGS 흡수층 형성

  • 천성현 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 권용현 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 조형균 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2013.05.30
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Abstract

본 실험에서는 CIGS 흡수층을 스퍼터링 방식과 급속열처리 장비를 이용한 2-step 방식을 이용하여 형성시켰다. 전구체는 DC 스퍼터링 방법으로 $Cu_{0.75}Ga_{0.25}/In$의 다층 전구체를 구성 후, 독성이 없는 셀레늄 팰릿을 graphite 상자에 넣어 급속열처리 장비로 온도를 $475{\sim}680^{\circ}C$로 온도를 조절하면서 셀렌화 하였다. 이렇게 구성된 CIGS 흡수층의 특성을 scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), X-ray differection (XRD)를 통해서 측정을 하였다.

Keywords