기판 종류에 따른 나노결정질 다이아몬드 박막의 성장 거동 비교

Comparison of the Growth Behavior Nanocrystalline Diamond Film on Different Substrates

  • 박동배 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ;
  • 나봉권 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ;
  • 명재우 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ;
  • 강찬형 (한국산업기술대학교 신소재공학과)
  • 발행 : 2013.05.30

초록

마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착(MPCVD) 시스템을 이용하여 서로 다른 기판(Si,SiC,W,Ti) 위에 나노결정질 다이몬드 박막을 증착하였다. 공정압력, 마이크로웨이브 전력, $Ar/CH_4$,기판온도를 일정하게 놓고, 증착시간을 0.5,1,2h으로 변화시켜 박막의 성장과정을 관찰하였다. 기판 종류에 따라 성장 초기에 형성되는 입자의 시간이 달랐으며, 2h 이후에는 입자들이 서로 붙어 완전한 박막을 형성함을 관찰하였다. 같은 증착시간에서 서로 다른 기판을 비교하였을 때, W > (Si, SiC) > Ti 기판의 순이었다.

키워드