Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Power Electronics (전력전자학회)
권호 표지

Transient-State Parameter Extraction and Evaluation of GaN FET

GaN FET의 과도특성 파라미터 추출 및 평가

  • Ahn, Jung-Hoon (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Byoung-Kuk (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Nam-Jun (Department of Electrical Engineering, Daejin University) ;
  • Kim, Jong-Soo (Department of Electrical Engineering, Daejin University)
  • 안정훈 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 이병국 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 김남준 (대진대학교 전기공학과) ;
  • 김종수 (대진대학교 전기공학과)
  • Published : 2013.11.15
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Abstract

본 논문에서는 WBG(Wide Band Gap)특성을 갖는 GaN FET의 과도특성을 분석한다. 먼저, GaN(Gallium Nitride) FET의 공개된 정보를 바탕으로 스위칭 과도 특성과 관련된 파라미터들을 정량적으로 추출하고, GaN FET의 동특성을 반영하는 시뮬레이션 모델을 구성한다. 이 모델을 통하여 Si MOSFET과 비교하여 GaN FET의 성능을 예측한다.

Keywords