CNTFETs에서의 Band to Band 터널링에 대한 연구

본 연구에서는 S/D이 n+/n+로 구성된 CNT-MOSFETs, 금속으로 이루어진 SB-CNTFETs와 p+/n+로 구성된 CNT-TFETs에 대한 각각의 $I_d-V_g$ 특성과 포텐셜 프로파일을 확인하였다. 그리고 각 소자의 특성 및 특징을 연구하고, 이 중에서 BTB에 가장 큰 영향을 받는 CNT-TFETs의 특성을 $V_{DS}$, 분자 비대칭성과 $T_{ox}$에 따른 특성 변화를 연구하였다. 그 결과 예상과 다르게 오히려 작은 $V_{DS}$와 큰 $E_g$을 가질 때, 향상된 SS를 가진다는 것을 확인 할 수 있었다. 특히, (7,0) CNT-TFETs에서 비록 $I_d$는 작지만, SS를 57mV/dec까지 개선할 수 있었다. 또한, $T_{ox}$를 얇게 하면, 비록 60 mV/dec 이하의 결과는 보여주지 못했지만, SS와 Ion 모두 개선할 수 있음을 확인할 수 있었다.