Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

N2+H2 ICP 표면처리를 이용한 CVD 그래핀 도핑 연구

  • 이승환 (성균관대학교 나노과학기술학과) ;
  • 최민섭 (성균관대학교 나노과학기술학과) ;
  • 임영대 (성균관대학교 나노과학기술학과) ;
  • 유원종 (성균관대학교 나노과학기술학과)
  • Published : 2012.11.08
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본 연구에서는 반도체 기술의 핵심으로 알려있는 플라즈마 표면 처리 공정을 이용하여 인위적으로 그래핀과 기능기 반응을 통한 도핑효과를 일으켜, 전계효과(Electric Field Effect)를 인가하였을 때 그래핀 내에서 발생하는 Electron & Hole carrier 들의 accumulation & Depletion 효과에 의한 Charge Density 변화를 Graphene Field Effect Transistors (GFETs) 소자의 전기적 특성 변화를 확인하였다. 특히, 그래핀 내 Conduction of electron을 높이기 위하여, $N_2+H_2$ 가스 조합을 플라즈마 방전가스로 사용하였으며, Optical Emission Spectroscopy (OES) 및 Langmuir-probe 측정을 통하여 합성가스의 ICP 방전 상태 및 효과를 예측하였다.

Keywords