저온공정에서 RF 파워와 산소유량에 의한 ZnO 박막의 결정성 연구

The crystallization characteristic of ZnO films deposition at low temperature by oxygen flow rate and RF power

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  • 김혜란 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • 진수봉 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • 최윤석 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • 최인식 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • 한전건 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소)
  • 발행 : 2012.05.31

초록

대향 타겟 스퍼터링법 (Facing Targets Sputtering)을 이용하여 저온 공정에서 ZnO 박막을 증착하였다. 이 실험에서 두 개의 타겟의 거리를 110nm로 고정하고 박막의 증착두께를 150nm로 정하였다. 산소 가스의 유량, 인가 전력을 변수로 하였을 경우 ZnO 박막의 방향성과 결정성을 XRD로 측정하고 분석하였다. 그 결과 인가전압과 산소 유량의 증가에 따라 결정성은 좋아진다.

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