A Study on the Ion Beam Eatching using the High Current Ion Source

대전류 이온원을 이용한 이온빔 에칭에 관한 연구

  • 김범석 (한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단) ;
  • 최혁준 (한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단) ;
  • 이찬영 (한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단) ;
  • 이재상 (한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단)
  • Published : 2012.05.31

Abstract

Strip 강판의 코팅막의 밀착력 향상을 위하여 강판 표면의 에칭은 필수적이다. 본 연구에서는 대전류 이온원을 이용하여 Strip 강판 에칭에 적용 가능한 장시간 사용 가능한 대전류 이온원의 개발과 고속 이온빔에칭 공정 조건을 개발하였다. 대전류 이온원의 내구성 향상을 위하여 필라멘트등 이온원의 부품 개선을 통하여 장시간 사용 가능한 대전류 이온원 개발하여 이온원의 내구성을 120hr 이상 확보하였다. 또한 이온원의 인출전극에 관한 기초연구 수행을 통해 11nm/s(Si wafer 기준)이상의 고속 이온빔에칭 공정조건을 개발하였다.

Keywords