장파장에서의 그래핀 CV 득성

  • 라창호 (성균관대학교 나노과학기술협동학과) ;
  • 문인용 (성균관대학교 나노소재기반 휴먼인터페이스 기반연구센터) ;
  • 민미숙 (성균관대학교 나노과학기술협동학과) ;
  • 이대영 (성균관대학교 나노과학기술협동학과) ;
  • 이효영 (성균관대학교 나노과학기술협동학과) ;
  • 유원종 (성균관대학교 나노과학기술협동학과)
  • 발행 : 2012.05.31

초록

전본 실험에서는 r-GO graphene을 이용해서 CV를 측정하였다. graphene이 있을때와 없을때의 capacitance의 차이가 확연하게 발생하였다. 또한 가해주는 시작 전압에 의해서 hystersis 현상을 관찰하였다. 이 graphene은 밴드갭이 없기 때문에 장파장영역의 빛에서도 광전자가 발생한다. 이를 이용해서 장파장의 빛에 의한 CV 특성을 관측하였다. 이 결과로 인해서 전자들이 charge 되는 것을 알 수가 있었다. 이 특성은 메모리나 기타 다른 소자에 유용하게 적용될 것으로 생각된다.

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