Controls of Graphene work function by using the chemical and plasma treatment

  • 이승환 (성균관대학교 나노과학기술학과) ;
  • 최민섭 (성균관대학교 나노과학기술학과) ;
  • 임영대 (성균관대학교 나노과학기술학과) ;
  • 라창호 (성균관대학교 나노과학기술학과) ;
  • 문인용 (성균관대학교 나노소재기반휴먼인터페이스 융합연구센터) ;
  • 유원종 (성균관대학교 나노과학기술학과)
  • Published : 2012.05.31

Abstract

본 연구에서는 화학적 도핑 방법 및 플라즈마 표면 처리방법을 이용하여 그래핀 내 Electron & Hole carrier 들의 농도를 변화시켜, 전계효과에 따른 Graphene Field Effect Transistors (GFETs) 소자의 전기적 특성 변화를 확인 하였으며, 전기적 특성 결과 중에 Dirac-point (DP) 이동에 따른 그래핀 $E_F$ (Fermi-energy) level 변화를 계산 및 유추 하였으며, Ultraviolet Photoelectron Spectroscpy (UPS)를 이용하여 실제적으로 He 소스 광전자를 그래핀 샘플 표면에 입사하여 나오는 전자들의 Kinetic Energy($E_K$) 결과를 이용하여 Work function (WF) 변화를 확인 및 검증하였다.

Keywords