A study on characteristics of ITO thin films by in-situ HT-XRD

In-situ HT-XRD를 이용한 ITO 박막의 특성 조사

  • 조상현 (부산대학교 재료공학과) ;
  • 김효진 (경북대학교 고분자공학과) ;
  • 정재헌 (부산대학교 재료공학과) ;
  • 송규호 (대구테크노파크 나노융합실용화센터) ;
  • 송풍근 (부산대학교 재료공학과)
  • Published : 2012.05.31

Abstract

본 연구에서는 터치패널에 적용되는 ITO 박막의 $SnO_2$ 함량별(2, 3, 5, 10wt%) 특성을 확보하기 위하여, Sputtering 장치를 사용하여 ITO 박막을 상온에서 증착한 후 In-situ HT(High temperature)-XRD를 이용하여 온도에 따른 구조적 특성변화를 조사하였다. In-situ HT-XRD 측정 시 온도는 170, 200, $250^{\circ}C$, 유지시간은 1시간으로 제어하였다.

Keywords