RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제작한 고온 내구성 InSbO₄ 박막의 물성 평가

Characterization on high temperature durability of InSbO₄ deposited by RF magnetron sputtering

$InSbO_4$ (Indium antimony oxide) 박막을 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 $SiO_2$가 코팅된 Si wafer ($SiO_2/Si$) 기판 또는 $400^{\circ}C$에서 융해된 석영 유리 (silica glass) 기판 위에 증착시켰다. 고결정성과 화학양론의 $InSbO_4$ 막을 증착시키기에 최적화된 조성의 $In_{0.2x}Sb_{0.3x}O_x$ 타겟을 이용하여 Ar과 $O_2$ 혼합 가스 분위기에서 스퍼터링 증착을 수행하였다. $InSbO_4$ 막은 가시광 영역에서 80%이상의 투과도를 보였고, $400^{\circ}C$에서 $1100^{\circ}C$사이의 어닐링 온도에서는 $InSbO_4$ 막의 전기적 성질이 높은 고온 내구성을 가지는 것을 알 수 있었다. 그러나 $1200^{\circ}C$ 이상의 어닐링 온도에서는 새로운 $Sb_2O_4$ 상의 분리로 인해 $InSbO_4$ 막의 비저항이 급격히 증가하였다.