한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)

한국정보통신학회 (The Korea Institute of Information and Commucation Engineering)
권호 표지

급수를 이용한 DGMOSFET의 채널도핑농도에 대한 전송 특성 분석

Analysis of Transport Characteristics for DGMOSFET according to Channel Dopiong Concentration Using Series

  • Han, Jihyung (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Hakkee (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Jeong, Dongsoo (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jongin (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Kwon, Ohshin (Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
  • 발행 : 2012.10.26
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초록

본 연구에서는 DGMOSFET의 채널내 도핑농도에 따른 전송 특성을 분석하였다. 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송 방정식을 이용하였다. DGMOSFET는 기존 MOSFET에서 발생하는 단채널 효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. 단채널 효과는 주로 문턱 전압영역을 포함한 문턱전압이하 영역에서 발생하므로 문턱전압이하 영역에서의 전송특성을 분석하는 것은 매우 중요하다. 이 연구에서는 DGMOSFET의 도핑농도를 변화시키면서 문턱전압의 변화와 DIBL을 분석할 것이다.

In this paper, the transport characteristics for doping concentration in the channel has been analyzed for DGMOSFET. The Possion equation is used to analytical. The DGMOSFET is extensively been studying because of advantages to be able to reduce the short channel effects(SCEs) to occur in conventional MOSFET. Since SCEs have been occurred in subthreshold region including threshold region, the analysis of transport characteristics in subthreshold region is very important. The threshold voltage roll-off and DIBL have been with various of doping concentration for DGMOSFET in this study.

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