A Comparative Study on the Electrical Characterization of Top-down Fabricated Silicon Nanowire ISFET

Top-down 방식으로 제작한 실리콘 나노와이어 ISFET의 전기적 특성 비교

  • 김성만 (서울테크노파크 MSP 기술지원센터) ;
  • 조영학 (서울테크노파크 MSP 기술지원센터) ;
  • 이준형 (서울테크노파크 MSP 기술지원센터) ;
  • 노지형 (전자부품연구원 차세대융합센서연구센터) ;
  • 이대성 (전자부품연구원 차세대융합센서연구센터)
  • Published : 2012.05.30