Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2012.08a
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- Pages.354-354
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- 2012
Poly Si Buffer-layer 도입에 의한 실리콘 양자점층 두께 증가에 따른 실리콘 양자점 태양전지 효율 향상
- Baek, Hyeon-Jeong (Department of Nano and Bio Surface Science, University of Science and Technology (UST)) ;
- Park, Jae-Hui (Division of Industrial Metrology, Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS)) ;
- Kim, Tae-Un (Division of Industrial Metrology, Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS)) ;
- Kim, Gyeong-Jung (Department of Nano and Bio Surface Science, University of Science and Technology (UST))
- Published : 2012.08.20
Abstract
실리콘 양자점 태양전지는 실리콘이 nm 크기의 양자점으로 될 경우 밴드갭이 증가하여 태양광 중의 가시광선을 광전변환에 활용함으로써 효율을 향상시키는 차세대 태양전지이다. 그러나 실리콘 양자점이 SiO2 매질 내에 분포하므로 양자점층의 두께가 증가할 경우 박막의 직렬저항이 증가하여 일정 두께 이상이 되면 효율이 감소하는 결과를 가져온다. 본 연구에서는 두께증가에 따른 효율저하 문제를 해결하기 위해 다결정 실리콘으로 이루어진 완충층을 도입 하였다. 이를 위해 본 연구에서는 두 가지 형태의 실리콘 양자점 태양전지를 제작하여 광전변환 특성을 비교하였다. 첫 번재 구조는 B이 도핑된 단일 실리콘 양자점층 태양전지이다. 양자점층은 2 nm SiOx 층과 2 nm SiO2 층을 적층한 후