Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

SF6와 NF3를 이용한 SiNx의 건식식각특성과 관련된 변수에 대한 연구

  • 오선근 (한국항공대학교 전자 및 정보통신공 컴퓨터공학부) ;
  • 박광수 (한국항공대학교 전자 및 정보통신공 컴퓨터공학부) ;
  • 이영준 (한국항공대학교 전자 및 정보통신공 컴퓨터공학부) ;
  • 전재홍 (한국항공대학교 전자 및 정보통신공 컴퓨터공학부) ;
  • 서종현 (한국항공대학교 재료공학과) ;
  • 이가웅 (한국항공대학교 전자 및 정보통신공 컴퓨터공학부) ;
  • 최희환 (한국항공대학교 전자 및 정보통신공 컴퓨터공학부)
  • Published : 2012.08.20
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Abstract

$SF_6$와 $NF_3$는 디스플레이 장치의 제조공정 중 $SiN_x$박막을 건식식각공정에서 사용되고 있다. 이 논문에서는 이 두 가스에 대한 건식식각의 특성을 관찰하기 위해서 CCP-RIE를 이용하여 가스와 산소의 유량비($SF_6$/$O_2$>, $NF_3$/$O_2$), 압력, 전력 비(13.56 MHz/2 MHz)를 변화시키는 다양한 공정조건하에서 실험을 진행하였다. 이 실험에서 $NF_3$를 이용한 $SiN_x$ 박막 건식식각률이 $SF_6$를 이용한 건식식각률보다 모든 공정 조건하에서 높게 나타났다. 불소원자의 OES 강도와 V/I probe 를 이용하여 건식식각률과 비례하는 상관관계 변수를 발견하였고 이를 플라즈마 변수와 관련하여 해석하였다.

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