한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
- /
- Pages.358-359
- /
- 2012
Effects of Annealing on Ni/Au Ohmic Contact to Nonpolar p-type GaN
- Lee, Dong-Min (Department of Materials Science and Metallurgical Engineering, Sunchon National University) ;
- Kim, Jae-Gwan (Department of Materials Science and Metallurgical Engineering, Sunchon National University) ;
- Yang, Su-Hwan (Department of Materials Science and Metallurgical Engineering, Sunchon National University) ;
- Kim, Jun-Yeong (Department of Materials Science and Metallurgical Engineering, Sunchon National University) ;
- Lee, Seong-Nam (Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University) ;
-
Lee, Ji-Myeon
(Department of Materials Science and Metallurgical Engineering, Sunchon National University)
- 발행 : 2012.02.08
초록
최근 분극 특성이 상이한 무분극 GaN 에피성장에 관한 심도 있는 연구와 함께 전자-전공 캐리어의 주입 및 캐리어의 거동, 방출되는 편광 특성 및 다양한 물리적 특성들에 대해 보고되고 있으며, 광학적 특성 및 물리적 특성의 확보를 위한 많은 연구가 활발히 진행 중이다 [1]. GaN의 ohmic 접촉(ohmic contact)의 형성은 발광 다이오드(light emitting diode), 레이저 다이오드(Laser), 태양전지(solar cell)와 같은 고신뢰도, 고효율 광전자 소자를 제조하기 위해서는 매우 중요하다 [2]. 그러나 이와 함께 병행 되어야 할 무분극 p-GaN 의 ohmic contact에 관한 연구는 많이 이루어지고 있지 않는 실정이다. 따라서 본 논문에서는 r-plane 사파이어 기판 상에 성장된 p-GaN에서의 ohmic 접촉 형성 연구를 위하여 Ni/Au ohmic 전극의 접촉저항 특성을 연구하였다. 본 실험에서는 성장된 a-plane GaN의 Hole농도가