Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.08a
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- Pages.305-305
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- 2011
InAs 및 GaAs 웨이퍼를 이용한 Type-II InSb 나노 구조 형성
- Lee, Eun-Hye ;
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Song, Jin-Dong
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Kim, Su-Yeon
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- Bae, Min-Hwan ;
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Han, Il-Gi
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Jang, Su-Gyeong
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Lee, Jeong-Il
- 이은혜 (한국과학기술연구원 나노포토닉스센터) ;
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송진동
(한국과학기술연구원 나노포토닉스센터) ;
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김수연
(한국과학기술연구원 나노포토닉스센터) ;
- 배민환 (한국과학기술연구원 나노포토닉스센터) ;
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한일기
(한국과학기술연구원 나노포토닉스센터) ;
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장수경
(연세대학교 물리학과) ;
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이정일
(한국과학기술연구원 나노포토닉스센터)
- Published : 2011.08.17
Abstract
Type-II 반도체 나노 구조는 그것의 band alignment 특성으로 인해 광학 소자에 다양한 응용성을 가진다. 특히, 대표적인 Type-II 반도체 나노 구조인 InSb/InAs 양자점의 경우, 약 3~5