한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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- Pages.291-291
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- 2011
Growth and Characterization of Self-catalyed GaAs Nanowires on Si(111) for Low Defect Densities
- 박동우 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 하재두 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
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김영헌
(한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 오혜민 (전북대학교 신소재공학부) ;
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김진수
(전북대학교 신소재공학부) ;
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김종수
(영남대학교 물리학과) ;
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정문석
(광주과학기술원, 고등광기술원) ;
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노삼규
(한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
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이상준
(한국표준과학연구원 나노소재평가센터)
- Park, Dong-U ;
- Ha, Jae-Du ;
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Kim, Yeong-Heon
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- O, Hye-Min ;
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Kim, Jin-Su
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Kim, Jong-Su
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Jeong, Mun-Seok
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No, Sam-Gyu
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Lee, Sang-Jun
- 발행 : 2011.08.17
초록
1차원 반도체인 nanowires (NWs)는 전기적, 광학적으로 일반 bulk구조와 다른 특성을 가지고 있어서 현재 많은 연구가 되고 있다. 일반적으로 NWs는 Au 등의 금속 촉매를 이용하여 성장을 하게 되는데 이때 촉매가 오염물로 작용을 해서 결함을 만들어서 bandgap내에 defect level을 형성하게 된다. 본 연구는 Si(111) 기판 위에 Ga-droplet을 촉매로 사용을 하여 molecular beam epitaxy로 성장을 하였다. 성장온도는 600