동시 첨가된 Al : P 비 변화에 따른 ZnO 세라믹의 특성 변화 연구

  • 홍효기 (경북대학교 신소재공학부) ;
  • 김세윤 (경북대학교 신소재공학부) ;
  • 성상윤 (경북대학교 신소재공학부) ;
  • 조광민 (경북대학교 신소재공학부) ;
  • 이정아 (경북대학교 신소재공학부) ;
  • 이준형 (경북대학교 신소재공학부) ;
  • 허영우 (경북대학교 신소재공학부) ;
  • 김정주 (경북대학교 신소재공학부)
  • 발행 : 2011.08.17

초록

ZnO는 투명전극, 태양전지, 광전소자, 다이오드, 센서, 산화물 TFT 등에 널리 사용되는 재료로서, hexagonal wurtzite 결정구조, 약 3.37eV 정도의 넓은 밴드갭, 60mV의 여기 바인딩 에너지를 가지는 것으로 알려져있다. 순수한 ZnO 박막은 일반적으로 n-형 특성을 나타내고 있지만, ZnO-based 광전소자 분야에서는 p-형 전도의 부족이라는 큰 단점을 가지고 있으며 광전소자로서의 ZnO의 응용에서 n-형과 p-형 전도는 둘다 필수적이다. 또한 ZnO 박막의 억셉터 농도를 증가시키기 위해서 억셉터(N,P)와 도너(Ga,Al,In)를 동시치환시킨 몇몇 연구가 있어왔다.본 연구에서는 Al과 P를 동시치환시킨 Al0.02-XP0.01+xZn0.970 (x=0, 0.005, 0.01) 조성에서 산소 분압을 변화 시켰을때의 박막의 구조적, 전기적 특성에 대해 관찰하였다. 박막의 경우는 c-plane 사파이어 기판에서 PLD 로 증착시켰다.

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