Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2011.05a
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- Pages.112-112
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- 2011
Numerical modeling of high density inductively coupled plasma with pulse bias at system for 300 mm wafer
300 mm 웨이퍼용 장치에서 펄스 바이어스가 인가된 고밀도 유도결합 플라즈마의 수치 계산
- Published : 2011.05.19
Abstract
300 mm 웨이퍼용 도핑장치에서 2 MHz 유도결합 플라즈마와 8 kHz의 기판 바이폴라 펄스 바이어스에 의한 플라즈마에 대해 수치 계산이 수행되었다. 한 주기에서 0, -500, +100 V의 Pulse duration동안 기판 전체에 100, 500, 150 eV 부근의 이온 입사 에너지 분포를 보였으며, 이에 따라 기판 가장자리에서의 이온 입사 각도는 -30~+
Keywords