Au wire와 Ag pad간 확산현상의 가속수명시험

반도체 칩과 패키지는 wire로 연결되는데, 이 때 반도체의 용도에 따라 다양한 wire와 pad의 조합이 사용되며, 이 두 개의 다른 금속물질 결합부위는 IMC(Inter Metallic Compound)를 형성하게 된다. 그러나, 결함 및 오염 등에 의하여 인접재료의 원자들이 이동하는 확산(Diffusion)이 발생하게 되어 IMC가 성장하고, 두 개의 금속물질간의 확산율은 상호 다르며, 확산율은 온도에 따른 함수가 된다. Au wire와 Ag pad를 이용하여 제조한 IR 수신모듈를 대상으로 3가지 고온조건에서 가속수명시험을 실시하였고, 각 온도별 수명분포를 바탕으로 가속계수와 활성화에너지 도출 및 정상온도에서의 수명도 예측할 수 있었다.