Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2011.07a
- /
- Pages.1708-1709
- /
- 2011
The modulation of an ambipolar silicon nanowire FET through illumination
빛을 이용한 Ambipolar 실리콘 나노와이어 FET의 모듈래이션
- Lee, Kyoung-Gun (Korea Electronics Technology Institute) ;
-
Lee, Kook-Nyung
(Korea Electronics Technology Institute)
;
-
Lee, Min-Ho
(Korea Electronics Technology Institute)
;
-
Jung, Suk-Won
(Korea Electronics Technology Institute)
- 이경건 (전자부품연구원 메디컬IT 융합 연구 센터) ;
-
이국녕
(전자부품연구원 메디컬IT 융합 연구 센터)
;
-
이민호
(전자부품연구원 메디컬IT 융합 연구 센터)
;
-
정석원
(전자부품연구원 메디컬IT 융합 연구 센터)
- Published : 2011.07.20
Abstract
본 논문에서는 Ambipolar 실리콘 나노와이어 FET (SiNW FET)의 빛을 통한 모듈래이션을 분석하였다. Ambipolar SiNW FET를 얻기 위해서는 나노와이어가 저농도로 도핑된 실리콘이어야 한다. 실리콘의 비등방성 습식식각 이후, 산화 공정을 통한 나노와이어 제작을 통해 보론의 확산을 통해 저농도로 도핑된 실리콘 나노와이어를 제작하였다. 빛이 조사될 시에 생기는 Ambipolar SiNW FET의 모듈래이션 특성에 관해 분석하고 간단한 응용 실험을 통하여 검증하였다. 응용 실험 결과 pH 센싱의 감도는 빛을 10000 lux 조사할 경우 8.84 배 증가하였다.
Keywords