Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2011.07a
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- Pages.1414-1415
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- 2011
Multiple-Channel using Asymmetric Spacing Structure (ASS) Polycrystalline Silicon (Poly-Si) Thin-Film Transistors (TFTs)
비대칭 스페이싱 다중채널 구조를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
- Song, Seung-Min (Seoul National University) ;
- Choi, Sung-Hwan (Seoul National University) ;
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Han, Min-Koo
(Seoul National University)
- Published : 2011.07.20
Abstract
높은 게이트와 드레인 바이어스 스트레스 조건에서 신뢰성을 높이기 위해 비대칭 스페이싱 다중채널 구조 (ASS) 를 이용한 다결정 실리콘 박막 트래지스터 (poly-Si TFTs) 를 제안하였다. 이것은 어떠한 추가공정 없이 제작할 수 있고 채널 가운데 부분의 넓은 공간을 이용하여 소자안의 유도된 열을 방출할 수 있기 때문에 기존의 트랜지스터에 비해 47%의 문턱전압감소와 3%의 이동도 변화 감소를 보인다. 이 실험결과는 제안된 소자구조가 기존의 소자에 비해 높은 게이트와 드레인 바이어스 조건에서 전기적 특성이 더 안정적이라는 것을 보여준다.
Keywords