Acknowledgement
Grant : 대용량 MLC SSD 핵심기술 개발
Supported by : 지식경제부, 한국산업기술평가관리원
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference (한국정보과학회:학술대회논문집)
- 2011.06a
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- Pages.551-554
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- 2011
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- 1598-5164(pISSN)
Analysis Model of Write Amplification Factor on Flash Memory
플래시 메모리에서 쓰기 증폭 인자 분석 모델
- Lee, Sang-Yup (School of Computer Science and Engineering, Dankook University) ;
-
Kim, Se-Woog
(School of Computer Science and Engineering, Dankook University)
;
- Jeon, Jeong-Ho (School of Computer Science and Engineering, Dankook University) ;
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Choi, Jong-Moo
(School of Computer Science and Engineering, Dankook University)
;
- Yang, Joong-Seob (Hynix semiconductor) ;
- Mo, Yeon-Jin (Hynix semiconductor) ;
- Shin, Young-Kyun (Hynix semiconductor)
- 이상엽 (단국대학교 컴퓨터과학) ;
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김세욱
(단국대학교 컴퓨터과학)
;
- 전정호 (단국대학교 컴퓨터과학) ;
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최종무
(단국대학교 컴퓨터과학)
;
- 양중섭 ((주) 하이닉스 반도체) ;
- 모연진 ((주)하이닉스 반도체) ;
- 신영균 ((주)하이닉스 반도체)
- Published : 2011.06.29
Abstract
덮어쓰기 제약(overwirte limitation)과 삭제 횟수 제한(limitted erase cycle)이 있는 플래시 메모리의 특징이 의하여, 플래시 메모시는 시스템에서 요청한 쓰기 요청보다 많은 수의 쓰기 연산을 수행하게 되는데, 시스템에서 요청한 쓰기요청과 실제 쓰기 연산 간의 비율을 쓰기 증폭 인자(Write Amplification Factor, 이후 WAF)라 한다. WAF는 성능과 신뢰성에 중요한 요소로 본 논문에서는 WAF를 예측 할 수 있는 분석모델을 제안한다. 제안된 모델은 페이지 사상 FTL, 블록 사상 FTL, 혼합 사상 FTL 등 다양한 FTL에서 WAF를 예측 할 수 있으며, 예측에 사용되는 매개 변수로 이용율(utilization), 무작위율(randomness), 연관도(Associativity)만을 사용하여 단순하다는 특성이 있다. 본 논문은 실제 Linux 환경에서 측정한 WAF와 비교 분석 결과 제안된 모델이 WAF를 정확히 예측 할 수 있음을 발견하였다.
Keywords