DC magnetron target angle 변화에 따른 원자 이동 메커니즘 분석

이번 연구에서는 DC magnetron sputtering을 이용하여 타겟의 각도 변화를 주어 각도 변화에 따른 원자의 거동분석에 대해 수행하였다. 타겟의 각도가 증가할수록 비저항이 증가하고 있으며 40도의 각도의 약 600 nm의 두께에서 $5.5{\times}10^{-4}{\Omega}cm$로 나타났으며, 가시광선 영역에서 88%의 투과도를 보이는데 이는 타겟 각도에 따라 Ar 이온으로부터 나온 입자들에 의해서 플라즈마가 형성되면서 플라즈마 산란이 발생한 것으로 보며, 특히 비저항 감소와 달리 이동도 및 농도가 감소하는 형태를 보이는데 이는 Hall 측정을 통해 알 수 있다. 타겟 각도 변화는 결정 성장 방해에 영향을 주어 결정 크기는 감소하면서 스트레스로 인한 FWHM 증가가 이를 입증해 주고 있다.