한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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- Pages.370-370
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- 2011
동시진공증발공정의 단계별 Se 분압의 변화가 CIGS 박막에 미치는 영향
- 김종근 (한국과학기술연구원 태양전지센터) ;
- 이인규 (한국항공대학교 항공재료공학과) ;
- 윤주헌 (한국과학기술연구원 태양전지센터) ;
- 윤관희 (한국과학기술연구원 태양전지센터) ;
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박종극
(한국과학기술연구원 태양전지센터) ;
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김원목
(한국과학기술연구원 태양전지센터) ;
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백영준
(한국과학기술연구원 태양전지센터) ;
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정증현
(한국과학기술연구원 태양전지센터)
- Kim, Jong-Geun ;
- Lee, In-Gyu ;
- Yun, Ju-Heon ;
- Yun, Gwan-Hui ;
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Park, Jong-Geuk
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Kim, Won-Mok
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Baek, Yeong-Jun
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Jeong, Jeung-Hyeon
- 발행 : 2011.02.09
초록
I-III-IV2족의 Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) 박막 태양전지는 3단계(three-stage) 동시증발공정을 통하여 약 19.9%의 최고의 효율을 보유하고 있다. 3단계 공정에 있어 IV2족 Se의 증발 속도 또는 증착압력은 우선 배향성 제어 및 표면 미세구조 영향 등에 큰 영향을 미치는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 CIGS 박막 합성을 위한 3단계 공정에서 각 단계별 Se 분압의 변화를 주어, 각 공정 단계에서 Se 분압의 변화가 CIGS 박막의 미세구조 및 셀 효율에 미치는 영향을 분석하였다. 3단계 공정에서 Cu, In, Ga 분압은 고정시키고, Se 분압의 크기 순서대로 1, 2, 3으로 변화시켜 CIGS 박막을 제조하였다. 이 박막의 미세구조, 특히, 우선 배향성, 표면의 기공, 결정성을 제어 하기 위하여 3단계 공정에서 1st stage 이후 Se 분압을 증가시키는 방법(