한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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- Pages.164-164
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- 2011
InAs 양자점 크기에 따른 태양전지의 광학적 특성
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한임식
(영남대학교 물리학과) ;
- 이상조 (영남대학교 물리학과) ;
- 손창원 (영남대학교 물리학과) ;
- 하재두 (영남대학교 물리학과) ;
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김종수
(영남대학교 물리학과) ;
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김영호
(한국표준과학연구원) ;
- 김성준 (한국표준과학연구원) ;
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이상준
(한국표준과학연구원) ;
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노삼규
(한국표준과학연구원) ;
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박동우
(전북대학교) ;
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김진수
(전북대학교) ;
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임재영
(인제대학교) ;
- 변지수 (경북대학교)
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Han, Im-Sik
;
- Lee, Sang-Jo ;
- Son, Chang-Won ;
- Ha, Jae-Du ;
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Kim, Jong-Su
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Kim, Yeong-Ho
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- Kim, Seong-Jun ;
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Lee, Sang-Jun
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No, Sam-Gyu
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Park, Dong-U
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Kim, Jin-Su
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Im, Jae-Yeong
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- Byeon, Ji-Su
- 발행 : 2011.02.09
초록
본 연구에서는 InAs 양자점 태양전지의 활성영역에 크기가 다른 양자점을 삽입하여 그 광학적 특성변화를 photoreflectance (PR)와 photoluminescence (PL)를 이용하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 InAs 양자점 태양전지 구조는 n+-GaAs (100) 기판 위에 n+-GaAs buffer를 300 nm 성장 후 활성영역에 InAs 양자점과 40 nm 의 n-GaAs spacer를 이용하여 8층의 양자점을 삽입하였다. 그 위에 n-GaAs