Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

나노 리소그래피를 이용한 고밀도 트랩을 갖는 비휘발성 메모리

  • 안호명 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
  • 양지원 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
  • 김희동 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
  • 손정우 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 조원주 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 김태근 (고려대학교 전기전자전파공학부)
  • Published : 2011.02.09
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Abstract

최근, 아이팟, 아이패드, 스마트폰 등의 휴대정보 기기의 수요가 급격히 증가하면서, 고집적성(테라비트급), 초소형, 초고속성, 고신뢰성을 확보할 수 있는 나노스케일(nano-scale)의 비휘발성 메모리(Non-volatile Memory; NVM) 소자 개발에 많은 연구가 집중되고 있다. 현재, 기존 CMOS 반도체 공정과 호환성이 우수하면서 고집적성의 특성이 가능한 전하트랩 플래시(Chrage Trap Flash : CTF) 메모리 소자가 차세대 비휘발성 메모리로써 각광 받고 있다. 하지만, 이러한 CTF 소자가 32 nm 이하로 스케일 다운이 되면서, ONO 층의 크기와 두께가 상당히 작고 얇아짐에 따라, 메모리 트랩수가 상당히 줄어들기 때문에 프로그램/소거 상태를 인지하는 메모리 윈도우의 마진을 확보하는데 어려움이 있다. 본 논문에서는 500 nm 크기를 갖는 폴리스티렌 비드(bead)를 이용한 나노 리소그래피 공정으로 질화막 표면에 roughness를 주어, 질화막과 블로킹 산화막의 경계면에 메모리 트랩의 표면적이 증가시켜, 메모리 윈도우 증가와 프로그램 속도를 개선을 구현하였다.

Keywords