한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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- Pages.37-37
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- 2011
T-IR 분광법을 이용한 Si 전구체 실시간 모니터링
- 전기문 (한국표준과학연구원) ;
- 신재수 (한국표준과학연구원) ;
- 윤주영 (대전대학교 신소재공학과) ;
- 김진태 (대전대학교 신소재공학과) ;
- 신용현 (대전대학교 신소재공학과) ;
- 임종연 (대전대학교 신소재공학과) ;
- 강상우 (대전대학교 신소재공학과)
- Jeon, Gi-Mun ;
- Sin, Jae-Su ;
- Yun, Ju-Yeong ;
- Kim, Jin-Tae ;
- Sin, Yong-Hyeon ;
- Im, Jong-Yeon ;
- Gang, Sang-U
- 발행 : 2011.02.09
초록
반도체 칩의 빠른 성장에는 Si을 기본으로 한 산화막 또는 질화막 재료의 공헌이 크다. 하나의 반도체 소자를 만드는 데 있어, 산화막(SiO2)과 질화막(Si3N4)은 각각 다양한 두께와 다양한 방법으로 제조되고 있기 때문이다. 또한 차세대 소자제작을 위해 사용되는 미세 patterning 방법으로 dual patterning 방법을 사용하는데 이는 ALD나 CVD를 이용한 저온 SiO2 증착공정을 기반으로 하고 있다. 이러한 Si 기반 소재 개발이나 공정개발을 위해 많은 Si 전구체가 개발되어지고 있지만 적합한 전구체를 선별하기는 어려운 실정이다. 본 연구에서는 FT-IR (Fourier transform-infrared)을 이용하여 개발된 전구체의 기상안전성 및 반응성을 실시간으로 진단하여 기존의 전구체와의 차별성을 확인하고 우수한 전구체를 선별하기 위한 연구를 진행하였다. 이를 위해 특별히 제작된 가스셀을 사용하여 열 및 플라즈마 상태변화에서의 분자상태 변형을 진단하였다.