The Effect of Calcium Phosphate Addition in HPHT Synthetic Diamond Process

고온고압 합성다이아몬드 공정에서 인산칼슘 첨가의 영향

  • Shen, Yun (Dept. of Materials Science and Engineering, University of Seoul) ;
  • Li, Feng (Dept. of Materials Science and Engineering, University of Seoul) ;
  • Song, Oh-Sung (Dept. of Materials Science and Engineering, University of Seoul)
  • 신운 (서울시립대학교 신소재공학과) ;
  • 이봉 (서울시립대학교 신소재공학과) ;
  • 송오성 (서울시립대학교 신소재공학과)
  • Published : 2011.05.27

Abstract

육방정프레스 $420{\phi}$를 활용한 고온고압(high pressure high temperature: HPHT) 방법으로 금속촉매층 ($Ni_{77}Fe_{11}Mn_9Co_3$)과 카본디스크가 순차적으로 적층된 셀에 인산칼슘을 첨가함에 따라 합성다이아몬드 성장에 미치는 변화를 확인하였다. HPHT 공정의 압력, 온도, 시간을 각각 8 GPa, $1500^{\circ}C$, 280s로 고정하고, 카본과 금속촉매 층 사이에 인산칼슘을 각각 0, 0.08, 0.20, 0.28 mg씩 첨가하여 고온고압 합성을 수행하였다. 합성공정 후 적층셀의 중간부 셀 수직단면을 광학현미경과 마이크로 라만분광기로 분석하였다. 결과적으로 인산칼슘을 0.08 mg 도포하여 첨가하면 다이아몬드의 생성이 향상되었다. 반면 0.20 mg 이상에서는 도포되는 양이 증가 할수록 다이아몬드 생성이 억제되다가 0.28 mg 이상 첨가에서는 다이아몬드가 거의 생성되지 않는 특징을 보였다.

Keywords