RF 스퍼터링 방법에 의한 AZO 투명전극용 박막에 대한 연구

To obtain a transparent electrode, AZO thin film was deposited on SiOC film with various flow rates by rf magnetron sputtering system. SiOC film was deposited with various DMDMOS/O2 flow rate ratio by CVD, The optical electrical properties of the SiOC film and SiOC/AZO were analyzed by the uv visible spectrometer and 4 point prove system. The reflectance of SiOC/AZO film was changed in compared with that of SiOC film. The resistance was decreased with low RF power because of increasing the concentration of carriers.

투명전극을 제작하기 위해서 SiOC 절연막 위에 AZO박막을 증착하였다. AZO 박막은 rf power가 5~200W인 RF 마그네트론 스퍼터 방법에 의해서 제작되었다. SiOC 박막은 산소와 DMDMOS 전구체의 유량비를 다르게 하여 플라즈마 발생 화학적 기상 증착방법으로 증착되었다. 증착된 SiOC박막은 UV visible spectroscopy에 의해서 분석하였다. 투명전극의 비저항은 rf 전력이 작을 수록 낮았으며, SiOC 절연막 위에 AZO를 증착시킨 후 반사률은 반대로 바뀌는 것을 확인하였다.