Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference (한국전산구조공학회:학술대회논문집)

Computational Structural Engineering Institute of Korea (한국전산구조공학회)
권호 표지

A Surface Relaxation Model for Si thin film

Si 박막해석을 위한 Surface Relaxation Model

  • 정하영 (서울대학교 기계항공공학부) ;
  • 김원배 (서울대학교 기계항공공학부) ;
  • 조맹효 (서울대학교 기계항공공학부)
  • Published : 2011.04.14
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Abstract

표면의 물성은 표면효과를 고려한 나노 스케일의 구조물의 기계적 거동 해석에 있어서 필수적인 요소이다. 이러한 해석을 위한 방법론 중 surface relaxation model을 이용하여 박막의 표면 물성을 계산하는 방법은 이미 FCC 모델에서는 검증된 바 있으나, 동일한 방법론을 diamond 구조를 가지는 실리콘에 일괄적으로 적용할 수는 없다. 이는 FCC 구조를 갖는 금속과는 달리 실리콘이 공유결합 물질이라는 점과, 박막표면에서 다양한 surface reconstruction이 가능하다는 점, 그리고 실리콘의 diamond lattice가 FCC lattice에 비해 추가적인 자유도가 존재한다는 점으로부터 기인한다. 본 논문에서는 이와 같은 조건을 고려하여 Si 박막의 표면 물성을 해석하기 위한 surface relaxation 모델을 제시한다.

Keywords