Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.08a
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- Pages.243-243
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- 2010
Correlation between terahertz characteristics and defect states in LTG-InGaAs
- Park, Dong-U ;
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Kim, Jun-O
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Lee, Sang-Jun
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- Kim, Chang-Su ;
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Lee, Dae-Su
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No, Sam-Gyu
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Gang, Cheol
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Gi, Cheol-Sik
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Kim, Jin-Su
- 박동우 (한국표준과학연구원 산업측정표준본부) ;
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김준오
(한국표준과학연구원 산업측정표준본부) ;
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이상준
(한국표준과학연구원 산업측정표준본부) ;
- 김창수 (한국표준과학연구원 산업측정표준본부) ;
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이대수
(한국표준과학연구원 산업측정표준본부) ;
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노삼규
(한국표준과학연구원 산업측정표준본부) ;
-
강철
(광주과학기술원 고등광기술원) ;
-
기철식
(광주과학기술원 고등광기술원) ;
-
김진수
(전북대학교 신소재공학부)
- Published : 2010.08.18
Abstract
Low-temperature grown (LTG) InGaAs epilayers were grown by MBE technique for studying a correlation between terahertz (THz) emission and the intrinsic defects. The 1.2-um-thick Be-compensated LTG-InGaAs epilayers were prepared on SI-InP:Fe substrate at
Keywords