한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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- Pages.235-235
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- 2010
InAs 양자점의 AlxGax-1As 장벽층 구조에 따른 광학적 특성
- 한임식 (영남대학교 물리학과) ;
- 이상조 (영남대학교 물리학과) ;
- 조현준 (영남대학교 물리학과) ;
- 배인호 (영남대학교 물리학과) ;
- 김종수 (영남대학교 물리학과) ;
- 김영호 (한국표준과학연구원) ;
- 김성준 (한국표준과학연구원) ;
- 김준오 (한국표준과학연구원) ;
- 이상준 (한국표준과학연구원) ;
- 노삼규 (한국표준과학연구원) ;
- 박동우 (한국표준과학연구원) ;
- 김진수 (전북대학교)
- Han, Im-Sik ;
- Lee, Sang-Jo ;
- Jo, Hyeon-Jun ;
- Bae, In-Ho ;
- Kim, Jong-Su ;
- Kim, Yeong-Ho ;
- Kim, Seong-Jun ;
- Kim, Jun-O ;
- Lee, Sang-Jun ;
- No, Sam-Gyu ;
- Park, Dong-U ;
- Kim, Jin-Su
- 발행 : 2010.08.18
초록
본 연구에서는 태양전지의 활성영역에 삽입할 InAs 양자점에 AlxGax-1As 장벽층을 삽입하여 그 두께변화에 따른 광학적 특성 변화를 photoreflectance spectroscopy (PR)과 photoluminescence (PL)를 이용하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 InAs/AlGaAs 양자점 구조는 GaAs (100) 기판 위에 GaAs buffer layer를 500 nm 성장 (
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